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關(guān)于東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院《高能效太赫茲SiGe工藝流片》的更正公告

發(fā)布時(shí)間:2021-08-12 08:38:59

一、項(xiàng)目基本情況

原公告的采購項(xiàng)目編號(hào):JSHC-2021080520C3

原公告的采購項(xiàng)目名稱:東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院《高能效太赫茲SiGe工藝流片》

首次公告日期:2021年810

二、更正信息

更正事項(xiàng):采購公告     

更正內(nèi)容:

原采購公告中:

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目,主要研究 z 220GHz 頻段 e SiGe 核心器件及收發(fā)集成芯片。為了進(jìn)行項(xiàng)目研究,需要進(jìn)行大量流片驗(yàn)證。根據(jù)研究目標(biāo)與項(xiàng)目任務(wù)書要求,采用 0.13umSiGe 工藝進(jìn)行流片。要求在工藝上設(shè)計(jì)的單片頻率超過 200GHz, 面積不少于 8 8 平方毫米。

現(xiàn)更正為:

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目,主要研究  220GHz 頻段 e SiGe 核心器件及收發(fā)集成芯片。為了進(jìn)行項(xiàng)目研究,需要進(jìn)行大量流片驗(yàn)證。根據(jù)研究目標(biāo)與項(xiàng)目任務(wù)書要求,采用 0.13umSiGe 工藝進(jìn)行流片。要求在工藝上設(shè)計(jì)的單片頻率超過 200GHz, 面積不少于8 平方毫米。    

更正日期:2021年811

三、其他補(bǔ)充事宜

無。

四、凡對本次公告內(nèi)容提出詢問,請按以下方式聯(lián)系。

 1.采購人信息

稱:東南大學(xué)

址:南京市四牌樓2號(hào)

聯(lián)系方式:信息學(xué)院: 郝老師 TEL:13675197612

科研院:黃老師TEL:025-83791320,52091214

2.采購代理機(jī)構(gòu)信息

稱:江蘇省華采招標(biāo)有限公司

址:南京市雨花臺(tái)區(qū)軟件大道109號(hào)(雨花客廳)2幢909

聯(lián)系方式:胡工/樊工   025-83603378

3.項(xiàng)目聯(lián)系方式

項(xiàng)目聯(lián)系人:胡工/樊工

電 話:025-83603378

 

 

江蘇省華采招標(biāo)有限公司

2021年811